为强化半导体设备领域人才技术储备，打通高校理论教学与产业实践应用的衔接路径，10月18日下午，我校联合达拉斯浸会大学（DBU）共同开展的第二篇章“半导体设备”系列课程第二讲——“刻蚀设备”开讲。本次培训特邀半导体材料与设备领域资深专家、国立大学材料科学与工程学博士曾伟雄主讲，采用“理论拆解+技术溯源+趋势展望”的授课模式，面向我校微专业学生、DBU大学研究生及感兴趣慕名而来的学生们，通过线下与线上同步授课的形式，吸引近百人参与学习。课程由数理学院副院长（主持工作）林佳主持。
课堂上，曾伟雄博士以“刻蚀技术在半导体制造中的战略地位”为切入点，围绕刻蚀技术发展历程、设备分类、核心原理、关键指标及未来趋势五大模块展开深度讲解。在刻蚀技术发展历程板块，曾伟雄博士梳理了从1950年代湿法刻蚀到现代21世纪干法刻蚀的技术演进脉络；针对刻蚀设备分类与核心原理，曾伟雄博士重点对比了干法刻蚀与湿法刻蚀的技术差异；在关键性能指标（KPI）部分，曾伟雄博士系统拆解了刻蚀工艺与设备的核心评价维度；课程最后，曾伟雄博士聚焦刻蚀技术的未来发展趋势，结合半导体产业制程演进需求，提出三大核心方向：一是原子层蚀刻（ALE）技术的规模化应用；二是设备硬件精度升级；三是湿法刻蚀的精细化发展。
互动环节中，学员围绕“EUV光刻与刻蚀工艺的协同优化”“先进封装中的刻蚀技术挑战”“国产刻蚀设备的技术突破路径”等议题展开热烈讨论。曾伟雄博士结合自身参与英特尔10nm制程、台积电7nm制程刻蚀工艺研发的经历，针对学员提出的“高深宽比沟槽刻蚀的侧壁保护方案”，建议从气体配比优化（如添加 CF₄调节聚合物沉积）、等离子体密度控制两方面入手，并分享了中芯国际14nm制程中相关工艺的参数调试经验，现场学术氛围浓厚。
曾伟雄博士深耕半导体材料与设备领域30余年，曾任职于欧洲半导体中心（IMEC）、三星研究院等机构，主导或参与80余项半导体材料与设备相关专利研发，在刻蚀工艺优化、先进设备设计等领域积累了深厚经验。其丰富的技术积淀与跨场景视野，将为学员搭建“设备原理-工艺应用-产业需求”的完整认知框架，助力学员精准把握刻蚀技术的核心要点与发展方向。
数理学院 供稿